Výrobca Číslo produktu:
TSM260P02CX6 RFG
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM260P02CX6 RFG-DG
Popis:
MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 6.5A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-26
Inventár:
23257 Ks Nové Originálne Na Sklade
12897651
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM260P02CX6 RFG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1670 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.56W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-26
Balenie / puzdro
SOT-23-6
Základné číslo produktu
TSM260
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
TSM260P02CX6 RFGCT
TSM260P02CX6RFGCT
TSM260P02CX6RFGTR
TSM260P02CX6 RFGTR-DG
TSM260P02CX6 RFGDKR
TSM260P02CX6RFGDKR
TSM260P02CX6 RFGCT-DG
TSM260P02CX6 RFGTR
TSM260P02CX6 RFGDKR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TSM60NB600CF C0G
MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S
DMTH6016LFDFW-7
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
TSM033NA04LCR RLG
MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
